Tabla de contenido
- 1 ¿Qué es un semiconductor no degenerado?
- 2 ¿Cómo se comporta un cristal de silicio dopado con impurezas pentavalentes?
- 3 ¿Cómo se forma el material tipo nyp?
- 4 ¿Cómo es el proceso de dopado?
- 5 ¿Cuál es la diferencia entre el dopaje y las capacidades conductoras de un semiconductor?
- 6 ¿Qué es el dopaje en los detectores de semiconductores de radiación ionizante?
¿Qué es un semiconductor no degenerado?
Semiconductor en el que el nivel de Fermi está situado en la banda prohibida, lejos de sus límites, a una distancia al menos igual a dos veces el producto de la constante de Boltzmann por la temperatura termodinámica.
¿Qué es dopado trivalente y pentavalente?
Impurezas pentavalentes. Son elementos cuyos átomos tienen cinco electrones de valencia en su orbital exterior. Impurezas trivalentes. Son elementos cuyos átomos tienen tres electrones de valencia en su orbital exterior.
¿Cómo se comporta un cristal de silicio dopado con impurezas pentavalentes?
Impurezas de valencia 5 (Arsénico, Antimonio, Fósforo). Tenemos un cristal de Silicio dopado con átomos de valencia 5. Esto es, como solo se pueden tener 8 electrones en la órbita de valencia, el átomo pentavalente suelta un electrón que será libre. Siguen dándose las reacciones anteriores.
¿Qué significa que un material está dopado?
En la producción de semiconductores, se denomina dopaje al proceso intencional de agregar impurezas en un semiconductor (abreviadamente, SC) extremadamente puro (también referido como intrínseco) con el fin de cambiar sus propiedades eléctricas.
¿Cómo se forma el material tipo nyp?
La adición de impurezas trivalentes como boro , aluminio o galio. Por ejemplo, un cristal de silicio dopado con boro (grupo III) crea un semiconductor de tipo p, mientras que un cristal dopado con fósforo (grupo V) da como resultado un semiconductor de tipo n.
¿Cuando el silicio ha sido dopado con impurezas trivalentes?
¿Cómo es el proceso de dopado?
En la producción de semiconductores, se le denomina dopaje al proceso intencional de agregar impurezas en un semiconductor (abreviadamente, SC) extremadamente puro (también referido como intrínseco) con el fin de cambiar sus propiedades eléctricas. Las impurezas utilizadas dependen del tipo de semiconductores a dopar.
¿Qué es el dopaje en un semiconductor?
En este segundo caso se dice que el semiconductor está «dopado». El dopaje consiste en sustituir algunos átomos de silicio por átomos de otros elementos. A estos últimos se les conoce con el nombre de impurezas.
¿Cuál es la diferencia entre el dopaje y las capacidades conductoras de un semiconductor?
El número de átomos dopantes necesitados para crear una diferencia en las capacidades conductoras de un semiconductor es muy pequeña. Cuando se agregan un pequeño número de átomos dopantes (en el orden de 1 cada 100 000 000 de átomos) entonces se dice que el dopaje es bajo o ligero.
¿Qué es un dopado químico?
En el primer método, dopado químico, se expone un polímero como la Melanina (típicamente una película delgada), a un oxidante (típicamente Yodo o Bromo) o a un agente reductor (bastante menos común, pero típicamente se utilizan metales alcalinos ).
¿Qué es el dopaje en los detectores de semiconductores de radiación ionizante?
En el caso de detectores de semiconductores de radiación ionizante, el dopaje es la introducción intencional de impurezas en un semiconductor intrínseco con el fin de cambiar sus propiedades eléctricas. Por lo tanto, los semiconductores intrínsecos también se conocen como semiconductores puros o semiconductores de tipo i.
