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¿Cuándo se dice que un material semiconductor es de tipo P?
Semiconductor tipo p Cuando se añade el material dopante libera los electrones más débilmente vinculados de los átomos del semiconductor. Este agente dopante es también conocido como material aceptor y los átomos del semiconductor que han perdido un electrón son conocidos como huecos.
¿Cómo se forma el material semiconductor tipo P?
La adición de impurezas trivalentes como boro , aluminio o galio. Por ejemplo, un cristal de silicio dopado con boro (grupo III) crea un semiconductor de tipo p, mientras que un cristal dopado con fósforo (grupo V) da como resultado un semiconductor de tipo n.
¿Cuántos electrones libres contiene un semiconductor tipo P?
Un semiconductor tipo P es el resultado de añadir un pequeño número de átomos trivalentes (con tres electrones en la última capa) a un semiconductor intrínseco. Estos tres electrones formaran enlaces covalentes con los átomos del semiconductor intrínseco.
¿Cuáles son los diferentes tipos de dopantes?
Para los semiconductores del Grupo IV como Silicio, Germanio y Carburo de silicio, los dopantes más comunes son elementos del Grupo III o del Grupo V. Boro, Arsénico, Fósforo, y ocasionalmente Galio, son utilizados para dopar al Silicio. Tipos de materiales dopantes Tipo N
¿Qué es el dopaje tipo P?
Este agente dopante es también conocido como material aceptor y los átomos del semiconductor que han perdido un electrón son conocidos como huecos. El propósito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos.
¿Cuándo se crea un material de tipo P?
Dopaje crea material de tipo N cuando los materiales semiconductores del grupo IV se dopan con los átomos del grupo V . materiales de tipo P se crean cuando los materiales semiconductores del grupo IV se dopan con los átomos del grupo III.
¿Cuáles son los dopantes de silicio?
Para los semiconductores del Grupo IV como Silicio, Germanio y Carburo de silicio, los dopantes más comunes son elementos del Grupo III o del Grupo V. Boro, Arsénico, Fósforo, y ocasionalmente Galio, son utilizados para dopar al Silicio .
